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Taixin Electronic wurde als Hightech-Unternehmen von einem Expertenteam für Hochleistungs-Halbleitertechnologien der North China Electric Power University gegründet.
Die Entwicklung und Produktion mit einer Gesamtfläche von insgesamt 30Ha befindet sich im chinesisch-japanischen Industriepark Yantai in direkter Nachbarschaft zu Mitbewerbern wie z.B. der Mitsubishi Electric Company.
Im Jahr 2022 wurde neben den bereits bestehenden Entwicklungs- und Fertigungskapazitäten neue Produktionsstätten von 8000m2 und eine zusätzliche 3.000m2 vollautomatisierte Packaging-Linie in Betrieb genommen.
Sämtliche Entwicklungs-, Testing- und Fertigungsprozesse der IGBTs erfolgen auf eigenen Maschinen und Equipment. Die Serienproduktion im Modulbereich beläuft sich jährlich auf derzeit ca. 2 Millionen Stück.

Produktportfolio

  • Discrete IGBT
    • Single
    • ​IGBT + FRD
  • Discrete Diode
    • Single
    • Common Cathode / Anode
  • SiC Diode
    • ​Module Phaseleg
    • Module Serial