Suzhou Ansas Semiconductor CO. LTD ist ein chinesischer Hersteller, spezialisiert auf die Entwicklung und Produktion von Dioden-, Mosfet- und IGBT-Lösungen.
In diesen verschiedenen Halbleitertechnologien bietet Ansas ein umfangreiches Portfolio in einer Vielzahl von kompatiblen Standardgehäusen.
Geleitet von der Philosophie „Advancing Excellence in Power Semiconductors” deckt ANSAS mit seinen hochwertigen und innovativen Produkten die Applikationsbereiche Industrie, Telekommunikation, Medizin, Konsumer, sowie Halbleiter für Militär-, Avionik- und Automobilanwendungen ab.
ANSAS ist ISO-zertifiziert und fertigt nach dem Qualitätsstandard IATF 16949 und ist Chiplieferant für eine Vielzahl namhafter, international bekannter Mitbewerber.
Produktportfolio
- Mosfet Discretes
Trench | SuperJunction | Planar - IGBT Discretes / Modules
- Power Diodes Discretes / Modules
- Rectifier Diodes
1 ∼ & 3 ∼ Phase| Standard | Bridge | Schottky (Standard, Low VF, High Temp.) | FRD - Protection Diodes
TVS/ Suppressors | ESD Protection (Single & Array) - CRD