Von Wayon Electronics Ltd. und seinem Vertriebspartner TRS-STAR GmbH aus Stutensee ist eine neue Hochstrom Trench Mosfet Familie im TO-LL Gehäuse verfügbar. Im Vergleich zu Referenzdesigns im TO-263/D2PAK bietet dieses Package bei Abmessungen von 9,9 x 11,7 x 2,3 mm eine um 30 % reduzierte Grundfläche und eine um 50 % niedrigere Höhe. Daher ist eine Lösung mit einem Wayon TO-LL Gehäuse ideal für Designs mit hoher Stromtragfähigkeit in Verbindung mit sehr kompaktem Formfaktor geeignet.
Das fundierte Gehäusekonzept ermöglicht mit dem separaten Signal-Source Pin zuverlässiges Schalten bei hohen Frequenzen und gewährleistet mit einer Drain-Source Kriechstrecke von 2.7 mm zusätzliche Designsicherheit.
Die Wayon TO-LL Produktfamilie startet im Niederspannungsbereich 20V/0,85mΩtyp und reicht über den Mittelspannungsbereich bis zu einer Maximalspannung von 200V/8mΩtyp, Darunter sind einige Varianten mit Spitzenstromtragfähigkeiten von über 300A bei Kanalwiderständen deutlich unter 1mΩ.
Zielapplikationen sind z.B. Akkuwerkzeuge, Batterie-Management-Systeme, DC-DC Wandler, elektrische Fahrzeugsysteme und Anwendungen mit ähnlich performanten Anforderungen. Weitere Typen sind bereits in Planung und werden in Kürze folgen.